BZT55C39-GS08

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说明
操作

BZT55C39-GS08
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
900000
VISHAY/威世
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BZT55C39-GS08
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VISHAY
LL34
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BZT55C39-GS08
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
VISHAY
原厂原装
1701+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BZT55C39-GS08
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4556
VISHAY
1425
-
原装正品，现货库存！

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功能描述
稳压二极管 39 Volt 0.5W 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZT55C39-GS08 技术参数

BZT55C39 L1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55C39 L0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 28V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZT55C36-GS18 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:10,000 BZT55C36-GS08 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 标准包装:2,500 BZT55C36 L1G 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZT55C3V6 L0G BZT55C3V6 L1G BZT55C3V6-GS08 BZT55C3V6-GS18 BZT55C3V9 L0G BZT55C3V9 L1G BZT55C3V9-GS08 BZT55C3V9-GS18 BZT55C43 L0G BZT55C43 L1G BZT55C43-GS08 BZT55C43-GS18 BZT55C47 L0G BZT55C47 L1G BZT55C47-GS08 BZT55C47-GS18 BZT55C4V3 L0G BZT55C4V3 L1G