BYW56-DIODE-AVALANCHA-2A.-1000V.

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BYW56-DIODE-AVALANCHA-2A.-1000V. 技术参数

BYW55-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYW55-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYW54-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 BYW54-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYW53-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BYW75TR BYW76RAS15-10-PH BYW76TAP BYW76TR BYW77G-200-TR BYW77P-200 BYW77PI-200RG BYW80-200 BYW80-200G BYW80FP-200 BYW81P-200 BYW82-TAP BYW82-TR BYW83TAP BYW83-TR BYW84-TAP BYW84-TR BYW85-TAP