BYM300GB170DN2_代理商_批发/采购【买卖IC网】BYM300GB170DN2

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BYM300GB170DN2
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
EUPEC
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BYM300GB170DN2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8500
EUPEC
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！！

BYM300GB170DN2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
EUPEC
模块
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

BYM300GB170DN2
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
EUPEC
正品封装
23+
-
正规商现货供应

BYM300GB170DN2
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
241
EUPEC
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

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1

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BYM300GB170DN2 技术参数

BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81

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