BSS84T/R

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说明
操作

BSS84T/R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
PANJIT
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS84T/R
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2509
PHILIP
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BSS84T/R 技术参数

BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BSS84PW 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BSS84PL6433HTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS84PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115