BSS84AKM315

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BSS84AKM315
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3682
NEXPERIA
SOD-882
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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BSS84AKM315 技术参数

BSS84AKM,315 功能描述:MOSFET P-CH 50V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:340mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN1006-3 封装/外壳:SC-101，SOT-883 标准包装:1 BSS84AK-BR 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS84AK,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS84-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS84-7 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1 BSS84PL6433HTMA1 BSS84PW BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7