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说明
操作

BSS83PE6327
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSS83PE6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS83PE6327
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
原厂
原厂原封装
18+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

BSS83PE6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INF
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS83PE6327
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
INFINEON
SOT-23
18+
-
原装正品，欢迎订购

BSS83PE6327
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
INFINEON
SOT-23
18+
-
原装正品，欢迎订购

BSS83PE6327
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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功能描述
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
SIPMOS®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

BSS83PE6327 技术参数

BSS83P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 330mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS83,235 功能描述:RF Mosfet N-Channel SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:50mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:10,000 BSS83,215 功能描述:MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:N 通道频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:50mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BSS816NWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 BSS816NW L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327

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