BSR92PL6327

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSR92PL6327
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
INFINEON
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSR92PL6327
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
inf
22+
-
行业低价，代理渠道

BSR92PL6327@@@@@@
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂
QFN
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

BSR92PL6327@@@@@@
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
QFN
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSR92PL6327HTSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-SC-59
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-Channel MOSFETs (-20V... -250V)

BSR92PL6327 技术参数

BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 欧姆 @ 140mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 3.7A，2.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SC-59 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 3.7A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR58LT1G 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A