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BSP295E6

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 操作
  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • Infineon/英飞凌

  • SOT223

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • INFINEON/英飞凌

  • SOT-223

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • SOT223

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 20807

  • INFINEON/英飞凌

  • SOT223

  • 22+

  • -

  • BSP295E6327NT
    BSP295E6327NT

    BSP295E6327NT

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 6000

  • 英飞凌

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8653000

  • SIEMENS

  • SOT223

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号.原装特价现货！

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • INF

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

  • 19+

  • -

  • 代理直销！进口原装正品！

  • BSP295E6327
    BSP295E6327

    BSP295E6327

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人：郑小姐

    电话：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质：营业执照

  • 10245

  • INFINEON/英飞凌

  • SOT-223

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货，支持BOM表配单

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  • 1
BSP295E6 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
BSP295E6 技术参数
  • BSP254A,126 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 200mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSP250,135 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP250,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:210mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.55V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 欧姆 @ 170mA，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:225mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 200mA，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327
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