BSM200GA120DN2F_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSM200GA120DN2F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSM200GA120DN2F_S3256
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
EUPEC
原厂原装
23+
-
只做原装正品

BSM200GA120DN2FS
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
EUPEC
主营模块
22+
-
全新原装现货供应

BSM200GA120DN2FS
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
INF
原厂标准封装
n/a
-
原装现货特价，停产偏冷优势供应！数量需确...

BSM200GA120DN2F_S3256
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86530
EUPEC
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BSM200GA120DN2F
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
N/A
模块
08+/09+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM200GA120DN2FS-E32
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
EUPEC
正品封装
23+
-
正规商现货供应

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1

您是不是要找： BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1

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功能描述
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
34MM
封装

BSM200GA120DN2F 技术参数

BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装零件状态:过期端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘特性:铜焊缝颜色:- 标准包装:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装零件状态:过期端子类型:对接接头，直插式，单独开口进线数:2 端接:压接线规:18-20 AWG 绝缘:非绝缘特性:铜焊缝颜色:- 标准包装:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X