BSM150GHL120DN2

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BSM150GHL120DN2
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
164
EUPEC
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

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BSM150GHL120DN2 技术参数

BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY