BSM150GB160D,BSM25GAL120D

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BSM150GB160D,BSM25GAL120D 技术参数

BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期压力类型:排气式压力计工作压力:15 PSI（103.42 kPa）输出类型:模拟电压输出:0 mV ~ 79.5 mV（3V）精度:±2% 电压 - 电源:6V 端口尺寸:- 端口样式:无端口特性:- 端子类型:表面贴装型最高压力:45 PSI（310.26 kPa）工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-CLCC 供应商器件封装:8-LCC 标准包装:1 BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY