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BSC046N02KSGXT

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BSC046N02KSGXT 技术参数

BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:27.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC042NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 91μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 37.5V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC042N03ST 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC042N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），95A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G