BSC032N03SG-

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BSC032N03SG-
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13610
INFINEO
TDSON
0735+
-
全新原装现货

BSC032N03SG-
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
2722
INFINEO
TDSON
0735+
-
原装现货/特价

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BSC032N03SG- 技术参数

BSC032N03SG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 70μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5080pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC032N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 70μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5080pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC031N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 93μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11000pF @ 30V 功率 - 最大值:139W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC030P03NS3GAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25.4A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 345μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:186nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC030P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25.4A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 345μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03S G BSC042N03ST BSC042NE7NS3GATMA1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1