BL-LTL30EDJP2

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BL-LTL30EDJP2 技术参数

BLL8H1214LS-500U 功能描述:TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:500W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:SOT539B 标准包装:20 BLL8H1214LS-250U 功能描述:FET RF 100V 1.4GHZ SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:250W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLL8H1214L-500U 功能描述:TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:500W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLL8H1214L-250U 功能描述:TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:250W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:SOT502A 标准包装:20 BLL8H0514LS-130U 功能描述:FET RF 100V 1.4GHZ SOT1135B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz 增益:17dB 电压 - 测试:50V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:130W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1135B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLM02PX600SN1D BLM03AG100SN1D BLM03AG102SN1D BLM03AG121SN1D BLM03AG241SN1D BLM03AG601SN1D BLM03AG700SN1D BLM03AG800SN1D BLM03AX100SN1D BLM03AX102SN1D BLM03AX121SN1D BLM03AX241SN1D BLM03AX601SN1D BLM03AX800SN1D BLM03BB100SN1D BLM03BB121SN1D BLM03BB220SN1D BLM03BB470SN1D