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BFU668F,115

配单专家企业名单
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  • BFU668F,115
    BFU668F,115

    BFU668F,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP USA Inc.

  • SOT-343F

  • 21+

  • -
  • 质量保真,价格实惠,假一罚十

  • BFU668F,115
    BFU668F,115

    BFU668F,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • BFU668F,115
    BFU668F,115

    BFU668F,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 3000

  • NXP SEMICONDUCTOR

  • 主营优势

  • 1618

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
BFU668F,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN SOT343F
  • RoHS
  • 类别
  • 未定义的类别 >> 其它
  • 系列
  • *
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • *
  • 其它名称
  • MS305720A
BFU668F,115 技术参数
  • BFU660F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:12dB ~ 21dB 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):90 @ 10mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU630F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13dB ~ 22.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):90 @ 5mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU610F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13.5dB ~ 23.5dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):90 @ 1mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU590QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 80mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFU590GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 80mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFU910FX BFV10-10L BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C BFV18-10L
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