BFQ81E-6327

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BFQ81E-6327
北京首天伟业科技有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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BFQ81E-6327 技术参数

BFQ790H6327XTSA1 功能描述:RF BIP TRANSISTORS 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6.1V 频率 - 跃迁:1.85GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.6dB @ 1.8GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:1.5W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 BFQ67W,135 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BFQ67W,115 功能描述:TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFQ67,215 功能描述:TRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFQ591,115 功能描述:TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2.25W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327