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BFG410W,115

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BFG410W,115
    BFG410W,115

    BFG410W,115

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：83617149

    地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 10

  • NXP

  • 2014+

  • -

  • 公司现货!只做原装!

  • BFG410W,115
    BFG410W,115

    BFG410W,115

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -

  • 百分百原装假一罚十

  • BFG410W,115
    BFG410W,115

    BFG410W,115

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • PH

  •  

  • 07+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • BFG410W,115
    BFG410W,115

    BFG410W,115

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：史仙雁

    电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

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  • 1
BFG410W,115 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
BFG410W,115 PDF下载
  • 功能描述
  • 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • NPN
  • 最大工作频率
  • 7000 MHz
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 2 V
  • 集电极连续电流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 封装 / 箱体
  • SOT-223
  • 封装
  • Reel
BFG410W,115 技术参数
  • BFG403W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:17GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB ~ 22dB 功率 - 最大值:16mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3.6mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG35,115 功能描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:18V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 100mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG325W/XR,115 功能描述:TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:18.3dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG325/XR,215 功能描述:TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz 增益:18.3dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:SOT-143R 标准包装:1 BFG310W/XR,115 功能描述:TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz 增益:18dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235 BFG520/XR,215 BFG520/XR,235 BFG520W,115 BFG520W/X,115 BFG540,215 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215 BFG590/X,215
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