BF199_Q

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BF199_Q 技术参数

BF199_J35Z 功能描述:RF Transistor NPN 25V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:1.1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:38 @ 7mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF199_D74Z 功能描述:RF Transistor NPN 25V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:1.1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:38 @ 7mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF199,112 功能描述:TRANS NPN 25V 0.025A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:38 @ 7mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:550MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BF199 功能描述:RF Transistor NPN 25V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:1.1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:38 @ 7mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF-1988-000 功能描述:ACOUSTIC DAMPER WHITE 680OHMS 制造商:knowles 系列:BF 零件状态:有效配件类型:减震器材料:声布颜色:白配套使用产品/相关产品:助听器标准包装:100 BF201-10P BF20125-28B BF201-2P BF20137-26B BF201-6P BF20185-25B BF20218-24B BF20226-24B BF202-6P BF20292-24B BF203 BF2030E6814HTSA1 BF2030RE6814HTSA1 BF2030WE6814BTSA1 BF2030WH6814XTSA1 BF2030WH6824XTMA1 BF20325-24B BF2040E6814HTSA1