BDY12

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说明
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BDY12
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-66
25+
-
国产品牌，替代进口

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
NPN Silicon Planar Trnasistors

BDY12 技术参数

BDX54TU 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BDX54-S 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BDX54CTU 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BDX54C-S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BDX54CG 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BDZW9 BDZW95 BDZX108 BDZX167 BDZX190 BDZX204 BDZX71 BDZX73 BDZX74 BE 12 BE 30 BE 60 BE 9 BE05-1A66-P BE05-1A85-P BE05-2A85-P BE05-2A88-P BE-10-20