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配单专家企业名单

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说明
操作

BDV66D
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50008
YXYBDT台湾
TO-3PN
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

BDV66D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PN
25+
-
国产品牌，替代进口

BDV66D
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PHI/ON
TO-3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BDV66D
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
ST/PH
TO-3P
15+
-
原装正品，假一罚十

BDV66D
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
原厂品牌
TO-3P
14+
-
全新原装，进口现货，准时交货，量大优惠

BDV66D
深圳市荣泽信电子科技有限公司
深圳市荣泽信电子科技有限公司
联系人：荣泽信－晏S
电话：18028731859
地址：华富村东区417室
10000
PHI/ON
TO-3P
15+
-
全新原装现货

BDV66D
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
10000
ISC
标准封装
17+
-
原厂原装15810809722

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BDV66D 技术参数

BDV65-S 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV65C-S 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV65B-S 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV65BG 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 BDV65B 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:30 BDW24B-S BDW24BTU BDW24C-S BDW24CTU BDW24-S BDW24TU BDW42 BDW42G BDW46 BDW46G BDW47 BDW47G BDW53A-S BDW53B-S BDW53C-S BDW53D-S BDW53-S BDW54A-S