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BD443G.

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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BD443G. 技术参数
  • BD442STU 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD442S 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD442G 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD442 功能描述:TRANS PNP 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32 标准包装:50 BD441STU 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD450M5WFPJ-CZE2 BD45231G-TR BD45232G-TR BD45235G-TR BD45241G-TR BD45242G-TR BD45245G-TR BD45251G-TR BD45252G-TR BD45255G-TR BD45261G-TR BD45262G-TR BD45265G-TR BD45271G-TR BD45272G-TR BD45275G-TR BD45281G-TR BD45282G-TR
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