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BC848CWE6327

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  • BC848CWE6327
    BC848CWE6327

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:13760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

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    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BC848CWE6327 技术参数
  • BC848CW-7-F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC848CW RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC848C-TP 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 BC848CT116 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:3,000 BC848CPDW1T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC849BE6327HTSA1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3 BC849BLT3G BC849BMTF BC849B-TP BC849BW RFG BC849BW,115 BC849BW,135 BC849C,215 BC849C,235 BC849CE6327HTSA1 BC849CLT1 BC849CLT1G BC849CMTF BC849C-TP BC849CW RFG
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