BC848CTA

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说明
操作

BC848CTA
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
800
ZTX
SOT-23
20+
-
科思奇现货库存，全新原装

BC848CTA(1L)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
88001
ZETEX
SOT23
2024+
-
绝对现货

BC848CTA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ZTX
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

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功能描述
两极晶体管 - BJT -
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BC848CTA 技术参数

BC848CT116 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SST3 标准包装:3,000 BC848CPDW1T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC848CPDW1T1 功能描述:TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:3,000 BC848CMTF 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BC848CLT1G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BC849AW RFG BC849B,215 BC849B,235 BC849BE6327HTSA1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3 BC849BLT3G BC849BMTF BC849B-TP BC849BW RFG BC849BW,115 BC849BW,135 BC849C,215 BC849C,235 BC849CE6327HTSA1 BC849CLT1 BC849CLT1G