BA282TYPGEG

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BA282TYPGEG
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
tfk
标准封装
09/10+
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BA282TYPGEG 技术参数

BA282-TR 功能描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.25pF @ 3V，100MHz 不同?If，F 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，200MHz 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BA282-TAP 功能描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.25pF @ 3V，100MHz 不同?If，F 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，200MHz 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BA278,115 功能描述:DIODE BAND-SWITCHING 35V SOD523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:700 毫欧 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:1 BA277,335 功能描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:20,000 BA277,135 功能描述:RF Diode Standard - Single 35V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:10,000 BA2901SFV-E2 BA2901SKN-E2 BA2901YF-CE2 BA2901YFV-CE2 BA2901YFV-MGE2 BA2902F-E2 BA2902FV-E2 BA2902KN-E2 BA2902SF-E2 BA2902SFV-E2 BA2902SKN-E2 BA2902YF-CE2 BA2902YF-LBH2 BA2902YF-MGE2 BA2902YFV-CE2 BA2902YFV-MGE2 BA2903F-E2 BA2903FV-E2