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说明
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AUIRFU8403
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
IPAK/TO-251
25+
-
国产品牌，替代进口

AUIRFU8403
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
11707
INTERNATIONALRECTIFIER
NA
13+
-
11707

AUIRFU8403
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRFU8403
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
I-Pak
19+
-
代理直销！进口原装正品！

AUIRFU8403
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
125
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRFU8403
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
600
INF
ORIGONAL
16+
-
0.72688 USD,szpoweri...

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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Rail/Tube
制造商
International Rectifier
功能描述
Auto 40V N-Ch FET 2.4mOhm 100A

AUIRFU8403 技术参数

AUIRFU540Z 功能描述:MOSFET N CH 100V 35A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28.5 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRFU4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:345 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRFU4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I-Pak 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 标准包装:3,000 AUIRFU3607 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:84nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3070pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 46A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I-Pak 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 标准包装:3,000 AUIRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:75 AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250 AUIRGF65A40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0

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