APTGF180H60G_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTGF180H60G

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF180H60G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTGF180H60G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

APTGF180H60G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
14
MICROSEMI
2014+
-
公司现货!只做原装!

APTGF180H60G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF180H60G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF180H60G 技术参数

APTGF180DU60TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF180DH60G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGF180DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF180A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G

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