APTGF100DA120TG_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTGF100DA120TG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF100DA120TG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯专营优势产品

APTGF100DA120TG
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
62537
Microchip Technology
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

APTGF100DA120TG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APTGF100DA120TG
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
6000
ADI
new and original
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

APTGF100DA120TG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF100DA120TG
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF100DA120TG 技术参数

APTGF100DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:735W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF100A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 130A 657W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:657W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF100A120T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 130A 780W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:780W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF100A1202G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGF150H120G APTGF150SK120TG APTGF15A120T1G APTGF15H120T1G APTGF15H120T3G APTGF15X120T3G APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G

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