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APT6010LLL

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-264L

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-264/TO-3PL

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • APT6010LLLG
    APT6010LLLG

    APT6010LLLG

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人：张小姐/Vivianvi

    电话：0755-83286481

    地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-264-3

  • 23+

  • -

  • 微芯专营优势产品

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 200000

  • YXYBDT台湾

  • TO-264TO-3PL

  • 2024+

  • -

  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • MODULE

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

  • APT6010LLLG-ND
    APT6010LLLG-ND

    APT6010LLLG-ND

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 7844

  • TO264

  • 15+

  • -

  • 绝对公司原装现货

  • APT6010LLLG
    APT6010LLLG

    APT6010LLLG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • APT(MICROSEMI)

  • 标准封装

  • TO-264 [L]

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • APT6010LLL
    APT6010LLL

    APT6010LLL

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 6000

  • APT

  • 模块

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • APT6010LLLG
    APT6010LLLG

    APT6010LLLG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 277

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • 1/1页 40条/页 共23条 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT6010LLL 技术参数
  • APT6010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:54A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 27A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6710pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:30 APT5F100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1409pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT58MJ50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:初步 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT58M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT58M50JU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG
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