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APT50GF60DR

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    APT50GF60DR

    APT50GF60DR

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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APT50GF60DR 技术参数
  • APT50GF120LRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ(开), 2.64mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:340nC 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/260ns 测试条件:800V,50A,1 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 功率 - 最大值:521W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):750μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):5.32nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ(开), 2.64mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:340nC 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/260ns 测试条件:800V,50A,1 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):600V 电流 - DC 正向(If):50A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):1200V 电流 - DC 正向(If):50A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL
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