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APT44F80L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT44F80LMI
    APT44F80LMI

    APT44F80LMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-264-3

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-264

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15862

  • APT

  • TO-264

  • 23+

  • -
  • 全新原装正品现货热卖

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-3PL/TO-264

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-264

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-264

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 772

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT44F80L
    APT44F80L

    APT44F80L

  • 深圳市讯顺达科技有限公司
    深圳市讯顺达科技有限公司

    联系人:卓小姐/蔡小姐/庄小姐

    电话:0755-827272340755-23915567

    地址:深圳市福田区华强北路1019号华强广场A座15KL

    资质:营业执照

  • 4200

  • APT

  • 原厂封装

  • 23+

  • -
  • 全新原装欢迎询价下单

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  • 1
APT44F80L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT44F80L 技术参数
  • APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT43M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT43M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT43GA90BD30 功能描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):129A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,47A 功率 - 最大值:337W 开关能量:875μJ(开),425μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:116nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/82ns 测试条件:600V,25A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT43GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):129A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:337W 开关能量:875μJ(开),425μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:116nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/82ns 测试条件:600V,25A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3
配单专家

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