APT43GA90BD30MI

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APT43GA90BD30MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

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APT43GA90BD30MI 技术参数

APT43GA90BD30 功能描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):129A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:337W 开关能量:875μJ（开），425μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 测试条件:600V，25A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT43GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):129A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:337W 开关能量:875μJ（开），425μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:116nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 测试条件:600V，25A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT43F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT43F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT42F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 21A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K