APT40M82WVR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT40M82WVR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13498
APT
直插/贴片
2024+
-
正宗原装现货

APT40M82WVR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT40M82WVR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
MOT
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT40M82WVR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： APT40N60JCU2 APT40N60JCU3 APT40SM120B APT40SM120J APT40SM120S APT41F100J APT41M80B2 APT41M80L APT42F50B

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT40M82WVR 技术参数

APT40M75JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT40M70JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:53A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 26.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40M42JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:760nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 43A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT40M35JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 93A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:93A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 46.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1065nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20160pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT42F50S APT43F60B2 APT43F60L APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30