APT30M36B2LL_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT30M36B2LL

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批号
价格
说明
操作

APT30M36B2LL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13358
APT
直插/贴片
2025+
-
代理原装现货假一赔十

APT30M36B2LL
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247
25+
-
国产品牌，替代进口

APT30M36B2LLG
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
MICROSE
T-MAX.3
22+
-
全新原装现货供应

APT30M36B2LLG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
72553
Microchip / Microsemi
T-MAX-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT30M36B2LL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT30M36B2LL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
08+/pb
-
假一罚十，百分百原装正品

APT30M36B2LLG
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1073
MICROSE
T-MAX.3
1130+RO
-
原装现货/特价

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 R MOSFET

APT30M36B2LL 技术参数

APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ（开），600μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ（开），600μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:80μJ（开），605μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK

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