APT30GT60KRG

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APT30GT60KRG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
APT
TO-220K
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT30GT60KRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 600V 64A 250W TO220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT30GT60KRG 技术参数

APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:525μJ（开），600μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:80μJ（开），605μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/225ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/360ns 测试条件:400V，30A，9.1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:25ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/360ns 测试条件:400V，30A，9.1 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV