APT30GS60KR

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT30GS60KR
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

APT30GS60KRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT30GS60KRG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APT30GT60BRDQ2G APT30GT60BRG APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Thunderbolt High Speed NPT IGBT

APT30GS60KR 技术参数

APT30GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/360ns 测试条件:400V，30A，9.1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:25ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/360ns 测试条件:400V，30A，9.1 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC