APT100GF60JU3_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT100GF60JU3

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批号
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说明
操作

APT100GF60JU3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT100GF60JU3
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
12856
APT
直插/贴片
2025+
-
代理商库房现货

APT100GF60JU3
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
MICROSEMI
Standa..
24+
-
全新原装正品现货热卖

APT100GF60JU3
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
ISOTOP
23+
-
微芯专营优势产品

APT100GF60JU3
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT100GF60JU3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT100GF60JU3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
200
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 600V 120A 416W SOT227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APT100GF60JU3 技术参数

APT100GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:103A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:620nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:100A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT100DL60BG 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 100A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT10090BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:298W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2

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