AOD3C50

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOD3C50
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
A
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

AOD3C50
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

AOD3C50
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AOD3C50
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12500
AOS
TO252
13+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 3A TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.4 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
662pF @ 100V
功率 - 最大值
83W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
2,500

AOD3C50 技术参数

AOD2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD2N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:580pF @ 25V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD2HC60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:466pF @ 100V 功率 - 最大值:74W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD2C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:304pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD403_DELTA AOD403L AOD407 AOD409 AOD4102 AOD4102L AOD4120 AOD4120L AOD4124 AOD4126 AOD4128 AOD413 AOD4130 AOD4132 AOD4132L AOD4136 AOD4136L AOD413A