AOB7S60L_代理商_批发/采购【买卖IC网】AOB7S60L

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

AOB7S60L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

AOB7S60L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS美国万代
D2PAK
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

AOB7S60L
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
A
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

AOB7S60L?
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18260
AOS
TO-263
23+
-
全新原装正品现货特价

AOB7S60L
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AOS
TO-263
22+
-
全新原装现货供应

AOB7S60L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
TO-263
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AOB7S60L
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
800
AOS
TO-263
11+
-
100%公司原装现货只做原装 1366...

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功能描述
MOSFET N-CH 600V D2PAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AOB7S60L 技术参数

AOB5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 开关能量:80μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:195ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB5B60D 功能描述:IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868 AOC4810 AOCJY-10.000MHZ

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