71V124SA12Y/N, 1MBIT SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3.3V - Trays
制造商
IDT
功能描述
IDT 71V124SA12Y/N, 1Mbit SRAM Chip Async Single 3.3V 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ Tray
71V124SA12Y/N 技术参数
71V124SA12TYGI8功能描述:静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V124SA12TYGI功能描述:静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V124SA12TYG8功能描述:静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V124SA12TYG功能描述:静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V124SA12PHGI8功能描述:静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray71V124SA15TYG871V124SA15TYGI71V124SA15TYGI871V124SA15YG71V124SA15YG871V124SA15YGI71V124SA15YGI871V2546S100BG71V2546S100BG871V2546S100BGI71V2546S100BGI871V2546S100PFG71V2546S100PFG871V2546S133BG71V2546S133BG871V2546S133BGI71V2546S133BGI871V2546S133PFG
