70V3579S6BCT

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70V3579S6BCT 技术参数

70V3579S6BCI8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3579S6BCI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3579S6BC8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 6ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 1.125MBIT 32KX36 6NS 256BGA - Tape and Reel 70V3579S6BC 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3579S5DRI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3589S133BFI 70V3589S133BFI8 70V3589S133DR 70V3589S133DRG 70V3589S133DRG8 70V3589S133DRGI 70V3589S133DRGI8 70V3589S133DRI 70V3589S166BC 70V3589S166BC8 70V3589S166BCG 70V3589S166BF 70V3589S166BF8 70V3589S166BFG 70V3589S166BFG8 70V3589S166DR 70V3589S166DRG 70V3589S166DRG8