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深圳市华芯盛世科技有限公司
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70V357954BF 技术参数

70V3569S6DRI 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208QFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:最後搶購标准包装:24 70V3569S6DR 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3569S6BFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 208CABGA 70V3569S6BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 576K-Bit 16K x 36 6ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 576KBIT 16KX36 6NS 208CABGA - Tape and Reel 70V3569S6BF 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V3579S5BC8 70V3579S5BCGI 70V3579S5BCI 70V3579S5BCI8 70V3579S5BF 70V3579S5BF8 70V3579S5BFI 70V3579S5BFI8 70V3579S5DR 70V3579S5DRI 70V3579S6BC 70V3579S6BC8 70V3579S6BCI 70V3579S6BCI8 70V3579S6BF 70V3579S6BF8 70V3579S6DR 70V3589S133BC