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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

6AE11
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
HITACHI
ZIP12
22+
-
全新原装现货供应

6AE4F3CF0021N
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18652
TOKO
5*5
2024+
-
一级代理商原装现货

6AE11
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ROHM
SIP-12
18+
-
原装正品，欢迎订购

6AE11
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ROHM
SIP-12
18+
-
原装正品，欢迎订购

6AEI93672052
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
1320
ST
SOP20
2012+
-
只做原装正品

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1

您是不是要找： 6AM-6PA 6AQ150KEBSA 6AT1 6AT10 6AT102 6AT10-T 6AT124-T 6AT13 6AT13-T2

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6AE 技术参数

6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7