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2SD1898-R(DF/RN)

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 16789

  • KEXIN

  • SOT89

  • 2024+

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2SD1898-R(DF/RN) 技术参数
  • 2SD1867TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SD1866TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SD1864TV2R 功能描述:TRANS NPN 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:90MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SD1864TV2Q 功能描述:TRANS NPN 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:90MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SD1863TV2R 功能描述:TRANS NPN 80V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SD1963T100R 2SD1963T100S 2SD19790SL 2SD1979GSL 2SD1980TL 2SD1991A0A 2SD1991ARA 2SD1992A0A 2SD1994ARA 2SD1994ASA 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016
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