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2SC5455A

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2SC5455A
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
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NEC
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2SC5455A 技术参数

2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143 标准包装:3,000 2SC5454-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5439(F) 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 640mA，3.2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:14 @ 1A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SC54190RA 功能描述:TRANS NPN 300V 0.07A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SC5415AF-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 0.1A 12V 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:800mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 30mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SC5509-A 2SC5509-T2-A 2SC5536A-TL-H 2SC5549,T6F(J 2SC5551AE-TD-E 2SC5551AF-TD-E 2SC555600L 2SC5566-TD-E 2SC5569-TD-E 2SC5585TL 2SC559200L 2SC5606-A 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L