2SB1205T-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SB1205T-TL-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
TO-252
22+
-
全新原装现货供应

2SB1205T-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SB1205T-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
SANYO
TO-251、252
08+
-
全新原装100%正品保证质量

2SB1205T-TL-E
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8080
ON/安森美
TO-252
22+
-
实实在在-只做原装正品

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1

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SB1205T-TL-E 技术参数

2SB1205T-E 功能描述:TRANS PNP 20V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1205S-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1205S-E 功能描述:TRANS PNP 20V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1204T-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 8A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1204T-E 功能描述:TRANS PNP 50V 8A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1216S-H 2SB1216S-TL-E 2SB1216S-TL-H 2SB1216T-E 2SB1216T-H 2SB1216T-TL-E 2SB1216T-TL-H 2SB1218A0L 2SB1218AQL 2SB1218ARL 2SB1218ASL 2SB1218G0L 2SB1218GQL 2SB1218GRL 2SB1218GSL 2SB12190RL 2SB1219ASL 2SB1219GSL