2N6725A

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2N6725A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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2N6725A 技术参数

2N6725 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 基本零件编号:2N6725 标准包装:2,000 2N6724 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 基本零件编号:2N6724 标准包装:2,000 2N6719 功能描述:NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:30MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 基本零件编号:2N6719 标准包装:2,000 2N6715 功能描述:NPN SILICON AUDIO POWER 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1A，1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 基本零件编号:2N6715 标准包装:2,000 2N6714 功能描述:TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 基本零件编号:2N6714 标准包装:2,000 2N6766 2N6766T1 2N6768 2N6768T1 2N6770 2N6770T1 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U