2N3859_代理商_批发/采购【买卖IC网】2N3859

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N3859
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
F
TO-92
15+
-
原装正品，假一罚十

2N3859A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
FSC
绝对公司现货库存热卖
02+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N3859
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TO92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N3859A
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
TO-92
23+
-
全新原装现货热卖

2N3859A
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
FSC
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
原装现货热卖，停产偏冷优势供应！数量需确...

2N3859
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
8000
ROHM
90
-
公司现货!只做原装!

1/1页 40条/页共33条
1

您是不是要找： 2N3859A 2N3859A_D75Z 2N3866 2N3866A 2N3867 2N3867S 2N3868 2N3868S 2N3879

2N3859 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N3859 PDF下载

制造商
功能描述
Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-98

2N3859 技术参数

2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-扁平封装供应商器件封装:6 扁平封装标准包装:1 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:20mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:* 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:* 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/375 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:20V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:32pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z