1SV305(TPH3.F)

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1SV305(TPH3.F)
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
TOSHIBA
SOD-523
20+
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原装库存，全新进口，可电13689551...

1SV305(TPH3.F)
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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1SV305(TPH3.F) 技术参数

1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:6.6pF @ 4V，1MHz 电容比:3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:2.35pF @ 4V，1MHz 电容比:2.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 25V，1MHz 电容比:12.5 电容比条件:C2/C25 电压 - 峰值反向（最大值）:34V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:8.7pF @ 4V，1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV281(TPH3,F) 功能描述:DIODE VCO V/UHF 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:8.7pF @ 4V，1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG