1SS181T5LFT

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1SS181T5LFT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
tosh
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1SS181T5LFT
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
6000
tosh
dc11
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公司现货!只做原装!

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功能描述
DIODE ULT HS 80V ULT HS SC-59
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列
-
其它有关文件
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装
1,000
系列
-
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
2V @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电
1µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）
5A
电压 - (Vr)（最大）
600V
反向恢复时间(trr)
50ns
二极管类型
标准
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置
1 对共阴极
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1553 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-10107-2

1SS181T5LFT 技术参数

1SS181S,LF(D 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束二极管配置:1 对共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 1SS181,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產二极管配置:1 对共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 工作温度 - 结:125°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 基本零件编号:1SS181 标准包装:1 1SS133T-77 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:130mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:MSD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1SS133T-72 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:130mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:MSD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:5,000 1SS133M R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 90V 150MA DO34 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:DO-34 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1SS196(TE85L,F) 1SS226,LF 1SS226-TP 1SS244T-72 1SS244T-77 1SS250(TE85L,F) 1SS272TE85LF 1SS294,LF 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F) 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F