1N6010

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1N6010
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9766
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制造商
NJSEMI
制造商全称
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
500 MILLIWATT GLASS ZENER DIODES

1N6010 技术参数

1N6009UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6009UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6009D 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6009C 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6009B-TP 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6011B 1N6011B_T50A 1N6011B_T50R 1N6011B-TP 1N6011C 1N6011D 1N6011UR 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP 1N6012C 1N6012D 1N6012UR 1N6012UR-1